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Tese (Doutorado)
Influência das tensões mecânicas biaxiais na fotocorrente de heterojunções de Ge-Si (1973)
Mammana, Alaide Pellegrini; Anderson, Richard Louis (Orientador)
Unidade: EP
Assunto: ENGENHARIA ELÉTRICA
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ABNT
MAMMANA, Alaide Pellegrini. Influência das tensões mecânicas biaxiais na fotocorrente de heterojunções de Ge-Si. 1973. Tese (Doutorado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 1973. . Acesso em: 27 abr. 2024.
APA
Mammana, A. P. (1973). Influência das tensões mecânicas biaxiais na fotocorrente de heterojunções de Ge-Si (Tese (Doutorado). Universidade de São Paulo, São Paulo.
NLM
Mammana AP. Influência das tensões mecânicas biaxiais na fotocorrente de heterojunções de Ge-Si. 1973 ;[citado 2024 abr. 27 ]
Vancouver
Mammana AP. Influência das tensões mecânicas biaxiais na fotocorrente de heterojunções de Ge-Si. 1973 ;[citado 2024 abr. 27 ]
Tese (Doutorado)
Junções epitaxiais p.N de silício obtidas por transporte através de telúrio (1969)
Ferreira, Ademar ; Anderson, Richard Louis (Orientador)
Unidade: EP
Subjects: SILÍCIO, TELÚRIO
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ABNT
FERREIRA, Ademar. Junções epitaxiais p.N de silício obtidas por transporte através de telúrio. 1969. Tese (Doutorado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 1969. . Acesso em: 27 abr. 2024.
APA
Ferreira, A. (1969). Junções epitaxiais p.N de silício obtidas por transporte através de telúrio (Tese (Doutorado). Universidade de São Paulo, São Paulo.
NLM
Ferreira A. Junções epitaxiais p.N de silício obtidas por transporte através de telúrio. 1969 ;[citado 2024 abr. 27 ]
Vancouver
Ferreira A. Junções epitaxiais p.N de silício obtidas por transporte através de telúrio. 1969 ;[citado 2024 abr. 27 ]
Tese (Doutorado)
Contribuição ao estudo do fenômeno da degradação dos diodos de túnel de AsGa (1969)
Marconato, Roberto; Anderson, Richard Louis (Orientador)
Unidade: EP
Assunto: DIODOS
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ABNT
MARCONATO, Roberto. Contribuição ao estudo do fenômeno da degradação dos diodos de túnel de AsGa. 1969. Tese (Doutorado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 1969. . Acesso em: 27 abr. 2024.
APA
Marconato, R. (1969). Contribuição ao estudo do fenômeno da degradação dos diodos de túnel de AsGa (Tese (Doutorado). Universidade de São Paulo, São Paulo.
NLM
Marconato R. Contribuição ao estudo do fenômeno da degradação dos diodos de túnel de AsGa. 1969 ;[citado 2024 abr. 27 ]
Vancouver
Marconato R. Contribuição ao estudo do fenômeno da degradação dos diodos de túnel de AsGa. 1969 ;[citado 2024 abr. 27 ]
Tese (Doutorado)
Transporte de elétrons por tunelamento em heterojunções isótipas (1969)
Mammana, Carlos Ignacio Zamitti; Anderson, Richard Louis (Orientador)
Unidade: EP
Assunto: TRANSPORTE DE ELÉTRONS
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ABNT
MAMMANA, Carlos Ignacio Zamitti. Transporte de elétrons por tunelamento em heterojunções isótipas. 1969. Tese (Doutorado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 1969. . Acesso em: 27 abr. 2024.
APA
Mammana, C. I. Z. (1969). Transporte de elétrons por tunelamento em heterojunções isótipas (Tese (Doutorado). Universidade de São Paulo, São Paulo.
NLM
Mammana CIZ. Transporte de elétrons por tunelamento em heterojunções isótipas. 1969 ;[citado 2024 abr. 27 ]
Vancouver
Mammana CIZ. Transporte de elétrons por tunelamento em heterojunções isótipas. 1969 ;[citado 2024 abr. 27 ]
Tese (Doutorado)
Contribuição ao estudo dos fenômenos transitórios da avalanche de coletor (1968)
Zuffo, João Antonio; Anderson, Richard Louis (Orientador)
Unidade: EP
Assunto: ENGENHARIA ELÉTRICA
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ABNT
ZUFFO, João Antonio. Contribuição ao estudo dos fenômenos transitórios da avalanche de coletor. 1968. Tese (Doutorado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 1968. . Acesso em: 27 abr. 2024.
APA
Zuffo, J. A. (1968). Contribuição ao estudo dos fenômenos transitórios da avalanche de coletor (Tese (Doutorado). Universidade de São Paulo, São Paulo.
NLM
Zuffo JA. Contribuição ao estudo dos fenômenos transitórios da avalanche de coletor. 1968 ;[citado 2024 abr. 27 ]
Vancouver
Zuffo JA. Contribuição ao estudo dos fenômenos transitórios da avalanche de coletor. 1968 ;[citado 2024 abr. 27 ]
Tese (Doutorado)
Propriedades dos diodos eletroluminescentes de arseneto de gálio contaminado com silício (1968)
Eisencraft, Marcos; Anderson, Richard Louis (Orientador)
Unidade: EP
Subjects: DIODOS, GÁLIO, SILÍCIO
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ABNT
EISENCRAFT, Marcos. Propriedades dos diodos eletroluminescentes de arseneto de gálio contaminado com silício. 1968. Tese (Doutorado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 1968. . Acesso em: 27 abr. 2024.
APA
Eisencraft, M. (1968). Propriedades dos diodos eletroluminescentes de arseneto de gálio contaminado com silício (Tese (Doutorado). Universidade de São Paulo, São Paulo.
NLM
Eisencraft M. Propriedades dos diodos eletroluminescentes de arseneto de gálio contaminado com silício. 1968 ;[citado 2024 abr. 27 ]
Vancouver
Eisencraft M. Propriedades dos diodos eletroluminescentes de arseneto de gálio contaminado com silício. 1968 ;[citado 2024 abr. 27 ]

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